RU | EN
Рециклинг пластин арсенида галлия  GaAs


Рециклинг пластин арсенида галлия GaAs

Существует целый ряд разновидностей брака поверхности пластин арсенида галлия, образующегося на различных стадиях изготовления полупроводниковых приборов.

При проведении процессов эпитаксии, фотолитографии, металлизации и других часть пластин отбраковывается и изымается из технологического процесса. На поверхности таких пластин находятся слои эпитаксиальных плёнок, фоторезиста, металла.

В ОАО «МИНСКИЙ НИИ РАДИОМАТЕРИАЛОВ» разработана технология восстановления пластин А3В5, реализуемая на собственном производственном участке.

В рамках технологического процесса пластины сортируются по видам деффектов, глубине нарушений, толщине пластин. Затем бракованные пластины арсенида галлия проходят очистку и химическую обработку поверхности.

В дальнейшем происходит удаление нарушенных слоёв химико-механической полировкой производится предэпитаксиальная обработка поверхности и пластины упаковываются в индивидуальные контейнеры в среде инертного газа.

После этого пластины могут повторно использоваться в процессах эпитаксиального наращивания.

Если количество восстановленных пластин недостаточно для удовлетворения Ваших потребностей в них, в МНИИРМ может быть изготовлено недостающее количество пластин с соответствующими характеристиками.

По вопросам получения дополнительной информации, оформления заказа обращаться в отдел маркетинга и сбыта, тел.+375 173983013, МТС +375(33)3339522.



Назад в раздел
ул. Лейтенанта Кижеватова, 86-2 Минск 220024
Республика Беларусь
Тел.: +375 17 398-11-06
e-mail: mniirm@mniirm.by
Режим работы: 8.20 - 17.00