Рециклинг пластин арсенида галлия GaAs

Существует целый ряд разновидностей брака поверхности пластин арсенида галлия, образующегося на различных стадиях изготовления полупроводниковых приборов.

При проведении процессов эпитаксии, фотолитографии, металлизации и других часть пластин отбраковывается и изымается из технологического процесса. На поверхности таких пластин находятся слои эпитаксиальных плёнок, фоторезиста, металла.

В ОАО «МИНСКИЙ НИИ РАДИОМАТЕРИАЛОВ» разработана технология восстановления пластин А3В5, реализуемая на собственном производственном участке.

В рамках технологического процесса пластины сортируются по видам деффектов, глубине нарушений, толщине пластин. Затем бракованные пластины арсенида галлия проходят очистку и химическую обработку поверхности.

В дальнейшем происходит удаление нарушенных слоёв химико-механической полировкой производится предэпитаксиальная обработка поверхности и пластины упаковываются в индивидуальные контейнеры в среде инертного газа.

После этого пластины могут повторно использоваться в процессах эпитаксиального наращивания.

Если количество восстановленных пластин недостаточно для удовлетворения Ваших потребностей в них, в МНИИРМ может быть изготовлено недостающее количество пластин с соответствующими характеристиками.

По вопросам получения дополнительной информации, оформления заказа обращаться непосредственно к начальнику отдела маркетинга и снабжения Михасевой Натальи Юрьевне  тел.(+37517) 270-96-25, моб.тел. (+37533)333 95 22,электронная почта marketing@mniirm.by